买卖IC网 >> 产品目录 >> SIR640DP-T1-GE3 MOSFET 40V 1.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SIR640DP-T1-GE3

库存数量：5937
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 40V 1.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 40V 1.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
SIR640DP-T1-GE3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 40 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 60 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 1.7 mOhms at 10 V
配置 Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PowerPAK SO-8
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SIR640DP-T1-GE3
SIR642DP-T1-GE3
SIR644DP-T1-GE3
SIR646DP-T1-GE3
SIR662DP
SIR662DP-T1-GE3
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彭银平 彭银平
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深圳市深科创科技有限公司 0755-83247290 吴先生/吴小姐/朱先生
  • SIR640DP-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 3.146 3.146
    10 2.416 24.16
    100 2.194 219.4
    250 1.974 493.5
    3,000 1.166 3498
    6,000 0 0